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寬溫域芯片測(cè)試：GD 系列老化測(cè)試箱解析
冠亚恒温小编为大家解析 GD 系列老化测试箱的宽温域芯片测试能力。半导体芯片在实际使用中可能面临从低温到高温的宽温域环境，GD 系列设备通过不同型号的温度区间配置，覆盖常温至 + 150℃、-20℃至 + 150℃、-40℃至 + 150℃三个温度范围，适配不同芯片的宽温域测试需求。
GD-518-A-DC 与 A-2-DC 型号的温度范围为常温 + 10℃至 + 150℃，适配高温老化测试场景，可模拟芯片在高温工作环境下的运行状态，验证芯片的耐高温性能与长期稳定性。升温速率为常温 + 10℃至 + 125℃线性 2℃/min，降温速率为 + 125℃至常温 + 10℃线性 2℃/min，可实现快速温变测试，模拟芯片开关机过程中的温度变化。
GD-518-B1-DC 型号的温度范围为 – 20℃至 + 150℃，适配中低温至高温的宽温域测试场景，可模拟芯片在不同温度环境下的性能表现，验证芯片的温度适应性。制冷方式采用单级制冷，可稳定实现 – 20℃低温输出，配合电加热系统，实现宽温域温度控制。
GD-518-B-DC 与 B-2-DC 型号的温度范围为 – 40℃至 + 150℃，适配超低温至高温的ji端宽温域测试场景，可模拟芯片在严寒与高温环境下的工作状态，验证芯片的ji端环境耐受性。制冷方式采用复叠制冷，可稳定实现 – 40℃超低温输出，配合gao效电加热系统，实现宽温域温度控制，升降温速率均为线性 2℃/min，可满足快速温变测试需求。
不同型号的宽温域配置可根据芯片的实际使用环境选择，如消费电子芯片可选用常温至 + 150℃型号，汽车电子芯片可选用 – 40℃至 + 150℃型号，工业级芯片可根据需求选择对应型号。设备的温度均匀度≤±3℃（满载 10kW），可保障箱内不同位置的芯片处于相同的温度环境，减少测试偏差。
GD 系列老化测试箱通过宽温域型号配置，为不同类型的半导体芯片提供了适配的宽温域测试解决方案，助力芯片可靠性验证。
动力电池温度循环试验箱
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